VPE-4Fは、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチングを主目的とするXeF₂エッチング装置です。ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで ...
二フッ化キセノン（XeF2）は，シリコンを常温ノン. プラズマエッチングすることができる。酸化シリコン. や窒化シリコンに対するエッチング作用がなく，高い. 選択比を ...
本論文の目的はMEMSに応用する微細加工技術としてSiのXeF2エッチングの有用性を示し、可能. 性を広げることである。そのために本論文の構成は、1)詳細な加工特性(第3 ...
ACNTCが製造された後、Si基板の二フッ化キセノン（XeF2）エッチングによって空洞が形成されます。圧力とエッチング時間が空洞の深さと幅を決定します。空洞の深さの範囲は1 ...
XeF2 ガスを用いて多結晶シリコンをエッチングする場合，. 多結晶シリコン表面の自然酸化膜を除去する必要がある。 この前処理は従来，希 HF 溶液を用いて行っていたが，本.
エッチング (Deep RIE, XeF2 エッチング, エッチング中厚さモニタ). (110)Si の結晶異方性. エッチング(200μm. 厚, 幅 25/50/100μm). Si Deep RIE. 200μm 厚, -120 ...
XeF2ドライエッチング装置 | サムコ株式会社の製品情報です。サムコは化合物半導体やMEMS・電子部品分野に最先端のプラズマCVD装置、ALD装置、Si深掘り装置、ICP ...
... シリコン酸. 化膜の気相エッチング(21)(22)，XeF2 によるシリコンの気相エ. ッチング(23)，電流のローレンツ力(24)や YAG レーザー照射に. よる回復技術(25)など ...
It is found that hydrocarbon radicals intensify reaction of XeF2 molecules with Si atoms on the surface and that this changes the kinetics of the etching rate.
説明. 装置仕様 ・Si、Moなどの等方性エッチング・使用可能ガス：XeF2、N2 ・到達真空度：10 Pa ・基板サイズ： φ4インチウエハ 1枚不定形（φ4インチ以内）