なぜなのか？を色々考えましたが、解に至らず・・・ 耐圧なので、一番電界が大きくなる場所にヒントがあるんだと感じつつ、結論を導けませんでした。パワー難しいですね。

うーむ。。。。 ダイオード |P+ |n- |N+| の 電荷)/完全空乏層近似 | -|+++++++++| | N+から電子(e-)ダバァでマイナスに反転。 実効的なn-層が薄くなる | -|+++++++--| |

アバランシェ……必殺技みたいで格好良い❕（←無知な自分w）

これはけっこうむつかしいですね。一般にピークを持つのは相反する２つのメカニズムが温度で拮抗・反転する場合。低濃度層は空乏層の体積が大きい。その中の格子振動が激しくなってキャリアが生成されるので結果として体圧が下がる、でどうですか？

空乏層の体積が増加して耐圧が下がった…なーんて単純なことでは無いんだろうなぁって思ったりしています。 かなり難しそうなんでヒント貰えたら嬉しいです。 subの比抵抗も関係してます？

三問目はSOIではなく、普通の自己分離型のダイオード構造です！簡単にググれば技術情報も見つかる時代。手っ取り早く学べる反面、本当の物理現象の理解という点では論文や特許、シミュレーションや評価で身に付けた知識には勝てないと思っております。二、三問目はググっても分からないを出題してます