ポスト
気分転換に軽く計算 室温で比抵抗200Ωcmのp-Siのアクセプタ濃度は2e13cm-3 np積一定よりこのとき少数キャリアである電子濃度は5e6 cm-3 100℃での真性キャリア密度は2e12cm-3でまだ飽和領域だが、少数キャリアである電子濃度は2e11cm-3と室温より4桁以上増える これが上の五重さんのポストの①の電子 pic.twitter.com/Zw4iadIRgD
メニューを開くみんなのコメント
メニューを開く
細井さん、めっちゃ🆒!目の覚めるようなアカデミックなご助言✨graphは飽和領域かもしれませんが実際に高温DC耐圧測定していると接合リークと高電圧積により高電界領域での自己発熱はTaが100℃でも130℃とかに上昇していき、それが正帰還かかって熱暴走に近い状態でアバランシェに突入していくと推測