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STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は5月31日(欧州時間)、同社の拠点があるイタリアのカターニャに新たにパワーデバイスおよびパワーモジュール製造に向けた新たな200mmウェハ対応SiCデバイス製造施設を建設することを発表した。

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いまおか@imaoka334

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同施設では、すでに同じ拠点で建設が進められているSiCウェハの製造施設と併せて、前工程に加え、テスト工程ならびにパッケージング工程という後工程拠点も設置される予定で、ウェハからデバイスまで垂直統合で製造される「Silicon Carbide Campus」が形成されることになると同社では説明している。

いまおか@imaoka334

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