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はい 質問です。 1)これはESD保護素子ですか?それともBufferですか? 2)改善にあたってマスク追加、インプラ条件変更は認められますか? 3)GGNMOS限定でありGCNMOSは認めない、ですか? 4)I-Vが縦ののこぎり状にする改善は本質的ですか? 5)Vhのみの記載でIt2に関する記載が無いのはなぜ?

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Rina_Semicon@Rina_SemiPh

みんなのコメント

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おぉ〜初代女王👑ありがとうございますw 1)SCRを使用しない、オープンドレイン端子用も含む高ESD耐量(保護)素子です 2)認められます 3)GCは認めないです 4)お手軽に高耐量化できる方法であり、他に負性抵抗にならないように垂直に立たせる手法もありますね 5)とりあえず電圧を記載、追加OKです

五重 黄昏@技術系漫画@arafifniharuwo

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