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セントラル硝子(4044)が4連騰。 ・パワー半導体の先端素材である炭化ケイ素(SiC)の基板の新製法を開発したと報道。 ・ケイ素と炭素を含む溶液からSiC基板を製造する方法で、従来の方法に比べて基板サイズの大型化などが容易に。 ・製造コストを1割以上削減でき、不良品率も大幅に削減できる。 pic.twitter.com/nWeK05z9ww

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豆山くん@mameyama_kun

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