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窒化アルミニウム(AlN)のバンドギャップ6.0eV、これ記事にあるがSiやGaAsの4~5倍、最近AnkerとかのUSB-C急速充電器で聞くGaNの3.4eVの2倍近く。実用化できればさらに高出力の充電器も可能ということ。 名古屋大学と旭化成が次世代半導体素子構造の作製に世界で初成功! emira-t.jp/topics/24262/

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x2960@x2960

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個人的に驚いたのはダイヤモンドのバンドギャップ5.5eVよりも大きいこと。 自分が学生の頃は、Siの先の究極の半導体は炭素だー!と追っかけてた記憶があるので、ダイヤモンド使わなくてええんか!と

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