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窒化ガリウムに原子層マグネシウム挿入! 名古屋大学研究グループが、窒化ガリウムとマグネシウムで独特な超格子構造を形成することに成功。これは二次元金属が半導体材料に初めて挿入された例であり、電子デバイスの性能向上に貢献します。 q-portal.riken.jp/topic_detail?t…

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