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この手の経験で目からウロコだったのは、だいぶ古いGroveの教科書のこの図。 実際に測ってみるとホントにこんな感じで、MOSFETにおける接合リークって、どこでどんな風に生じているのかを実感をもって理解できる。 images.app.goo.gl/nxfhxMSJeYzMDZ… pic.twitter.com/7bIPMc8eHG x.com/Rina_SemiPh/st…

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Rina_Semicon@Rina_SemiPh

半導体デバイスの教科書は読むだけではだめで、自分でのっているグラフを測定して理解することが必要。その用途だとタウア・ニンは使いにくい。古い本だけど小柳光正のサブミクロンデバイスI, IIがうってつけ。私はこの本に載っているグラフの4割くらいは針あてて半パラで測定、破壊して理解した

かんことり@Zx6TkvCDVW4VMUP

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これとTAT (Trap-Asisted Tunneling) の概念がないと、実際のMOSFETで生じている接合リークの理解は難しい。 拡散電流やSRHの式で記述できるのはごく低バイアスな条件に限られる。 接合リークのバイアス依存の温特とか測ると、TATの式の秀逸さに感動する! pubs.aip.org/aip/jap/articl…

かんことり@Zx6TkvCDVW4VMUP

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