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これとTAT (Trap-Asisted Tunneling) の概念がないと、実際のMOSFETで生じている接合リークの理解は難しい。 拡散電流やSRHの式で記述できるのはごく低バイアスな条件に限られる。 接合リークのバイアス依存の温特とか測ると、TATの式の秀逸さに感動する! pubs.aip.org/aip/jap/articl…

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かんことり@Zx6TkvCDVW4VMUP

みんなのコメント

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TATと言う言葉に反応してしまうポヨ 同じ半導体でも分野(プロセス/自動化)が違えば全く異なるポヨね Turn-Around-Time

情報収集専用垢なので基本呟かないでも呟くときは発作が起きたと思ってくださいポヨ@Johoshushupopo

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電界Fに応じて、活性化エネルギーEaがSRHから下がりますよね😄自分もとても面白いと思います!

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