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(次々世代・周辺技術領域、テーマ名: 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたGaN-MOSの高性能化に資する計測評価) 成果報告書 : 文部科学省革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業 : 令和3年度 [仙台] : 東北大学, 2022.5 ndlsearch.ndl.go.jp/books/R1000000…

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