ポスト
SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を、高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発しました。 ドイツ・ブレーメンで開催されたISPSD2024シンポジウムにて本技術の詳細を発表しました。 bit.ly/4bZVjOI #東芝 #パワー半導体 pic.twitter.com/XAVwbqp8pc
メニューを開くSiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を、高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発しました。 ドイツ・ブレーメンで開催されたISPSD2024シンポジウムにて本技術の詳細を発表しました。 bit.ly/4bZVjOI #東芝 #パワー半導体 pic.twitter.com/XAVwbqp8pc
メニューを開く