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10年以上前の小口径のGaN on SapphireのLED用基板でさえバッファー層が凄い数で反りも酷くて各社のノウハウで特許さえ出てこないって聴いたことがあります パワー向けの300mm GaN on Silicon って取り残されてるだけなのかもですが、核融合成功しました！みたいなレベルで現実味が感じられないです
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