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【半導体の歴史#41】IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor=絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、Nch MOS FETのドレインにP層のコレクタを追加したもの。バイポーラトランジスタとMOSFETとを合わせたような性質を持っています。
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