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    • IV族混晶半導体ヘテロ構造の結晶成長および界面物性制御への挑戦

    1. https://plasma-society.org
    2. event

    2024/3/28 -GeSnなどのSnを含むIV族混晶半導体は、直接遷移化、低温成長可能、高キャリア移動度、低熱伝導率などのユニークな物性を持つ。本材料はSi集積回路プロセスへの親和性に ...


    HYSICS ATERIALS - 名古屋大学大学院工学研究科物質科学専攻

    PDF
    1. http://www.mp.pse.nagoya-u.ac.jp
    2. mp_pse_broch...

    2024/4/2 -GeSn. HYSICS. ATERIALS. 名古屋大学 大学院工学研究科. 物質科学専攻. 新しい ... org/. プログラムの公開. CONQUESTのwebサイト. 複雑界面の構造と電子状態. Si/Ge界面 ...


    奥川将行のHP: HOME

    https://m-okugawa.jimdofree.com

    2024/5/11 -九州工業大学との共同研究の成果が論文になりました． 「Direct observations of crystallization processes of amorphous GeSn during thermal annealing: A temperature ...


    冨岡 克広(トミオカ カツヒロ)(情報科学研究院 ... - 北海道大学研究者総覧

    1. https://researchers.general.hokudai.ac.jp
    2. profile

    2024/6/7 -org/10.1063/1.3696380]. We investigate the vibrational modes of a triangular array of anisotropic, hexagonal GaAs nanopillar......もっと見る. × We investigate ...


    Soul Chains（@ChainsSoul）さん / X

    1. https://x.com
    2. chainssoul

    2日前 -They will be facing against ALTERNATE aTTaX Ruby, the german org will play its 3rd Project Queens grand final.


    渡部 平司 (Heiji Watanabe) - マイポータル - researchmap

    1. https://researchmap.jp
    2. heijiw

    2024/3/25 -org/0000-0002-7916-3093; J-GLOBAL ID: 202001001837401898; researchmap会員ID ... 特願2012-042746 単結晶状GeSn含有材料の製造方法および単結晶状GeSn含有材料基板.


    材料・プロセス・デバイス特性の物理

    PDF
    1. https://edit-ws.jp
    2. 2024/01
    3. EDIT29_proc_0130

    2024/1/31 -GeSn layer than the epitaxial GeSn layer was possibly realized although the segregated GeSn layer was amorphous. This finding suggests that the segregation ...


    Nakamura Yoshiaki - Osaka University - 大阪大学 研究者総覧

    1. https://rd.iai.osaka-u.ac.jp
    2. ...

    2024/1/16 -Research Areas · Nanotechnology/Materials, Nanomaterials · Nanotechnology/Materials, Nanostructure physics · Nanotechnology/Materials, Nanostructure chemistry ...


    柴山 茂久 - 研究者総覧 - 名古屋大学

    1. https://profs.provost.nagoya-u.ac.jp
    2. html

    2024/3/29 -org/10.1016/j.mssp.2024.108302. Layer transfer of epitaxially grown Ge ... Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成. 松本 泰河、柴山 ...


    IEEE EDS Japan Joint Chapterは - Awards

    1. https://www.ieee-jp.org
    2. tokyo
    3. chapter
    4. ed15_award

    2024/2/16 -Hiroshi Oka, Osaka University "Enhancement-mode n-channel TFT and Room-temperature Near-infrared Emission Based on n+/p junction in Single-crystalline GeSn on ...