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反応性イオンエッチングに使われるもの. 六フッ化硫黄 (SF6); 四フッ化炭素 (CF4); トリフルオロメタン (CHF3). 反応性ガスエッチングに使われるもの. 二フッ化キセノン ( XeF2)
エッチングガスの中でも精密なエッチング能力を持つフルオロメタン(CH3F)、六フッ化ブタジエン(C4F6)、 ジフルオロメタン(CH2F2)を生産・販売しており、今後も様々なエッチングソリューションを提供する予定です。 エッチングガスは､半導体内部の回路形成前に ...
日本ゼオンは次世代半導体製造に向けて、種々の高選択比の絶縁膜エッチングガスを提供します。
エッチング装置とは、化学腐食、蝕刻加工を行う装置です。薬液や反応ガス、イオンの化学反応を使って、薄膜の形状を化学腐食、蝕刻加工します。ここでは、ウェットエッチングとドライエッチングの特徴、プラズマ方式ドライエッチング装置の説明、さらに ...
Poly-SiはF系のガスで高速にエッチングできるのですが、アンダーカットが入りやすいため、Cl系、Br系のエッチングガスが使用されています。またゲート酸化膜の厚みも集積度が上がるごとに薄くなり、選択比を出すためにCl系、Br系のエッチングガスにO 2を ...
「CEG™」とは、「Central Glassが提案する革新的な半導体用エッチングガス」の総称です。CEG™ Seriesでは、3Dデバイス及び最先端材料に適した、各種高選択性エッチングガスを多数製品化しております。 ※詳細につきましては、直接お問合せください。
電位となっている。真空容器を到達圧力まで排気. し,次 にプロセスガスを所定圧力まで導入する0. 圧力は,数100mPa∼. 数10Paの. 値に設定する。 ここで,高 周波電極間に高周波電圧を印加すると,. プラズマが生 じ,被 エッチング物質表面上でエ ッ. チングが ...
ウエットエッチングと（2）プラズマ中の反応種（イオン，. 高速中性粒子，ラジカル（中性活性種），ガス）を用いる. ドライエッチングに大別される．前者は，化学反応のみを. 用いた方法であるが，等方性形状の他に結晶の面方位を巧. みに利用して異方性形状を形成 ...
チング特性を調べた。実験は，ガス圧力とガス組成比を変化させて行い，Si，SiO2 に. 対する高いエッチング選択性，および高い HfO2 エッチング速度を与えるプラズマ条. 件とエッチングケミストリーに焦点を当てた。圧力 0 = 10 mTorr の BCl3 プラズマに.
半導体に精密な凹凸を形成するための装置です。100nmから1000nm程度のごく細い幅で、深い溝を彫るなどの緻密な加工が可能です。 薬液に浸けて加工を行うウェットエッチングに対して、プラズマを利用したガスによって加工する方法をドライエッチングと ...