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FET 2SK30A ドレイン接地回路 で検索した結果 11~20件目 / 約325件 - 0.43秒

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  1. 基礎電子回路 (第8回) トランジスタ基本回路
    摂大・鹿間. トランジスタ基本回路. ▫ 複雑な電子回路:一個のTR回路の組合せ. ▫ 3 端子素子(FET,バイポーラTR). ▫ どの端子を接地するかで3種類の方式. ▫ MOS FET ,バイポーラTRの一方が理解できれば. 他方も容易! ▫ しかし,基本回路は大変重要 なので両方学ぶ. 摂大・鹿間. MOS FETの接地形式. ▫ 3個の端子(S, D, G)のどれを 接地するかで3種類. ▫. S接地(増幅信号をRLより取り出し),D・G接地(電圧・電流伝達 ). ▫ 下図は信号に対する回路 (バイアス回路を省略). ソース接地. ドレーン接地. ゲート 接地.
    www.setsunan.ac.jp/~shikama/.../2016FEC_8.pdf
  2. FET増幅回路 ソース接地 ゲート接地 ドレイン接地 インピーダンス変換 ...
    (1), FET増幅回路は、ソース接地、ドレイン接地、及びゲート接地の三つの方式がある。 (2), ソース接地増幅回路は、バイポーラトランジスタの[A]接地増幅回路に相当し、最も 多く用いられている。 (3), ドレイン接地増幅回路の電圧増幅度は1より小さいが、出力 インピーダンスが[B]ので、インピーダンス変換回路に用いられる。 (4), ゲート接地増幅 回路は、出力側から入力側への帰還が[C]ので、高周波増幅に適している。
    www.gxk.jp/elec/musen/1ama/H20/html/H2012A08_.html
  3. FETプリアンプ
    負荷抵抗は5.1Kで、FETの場合負荷抵抗と出力インピーダンスはほぼ一致します。 12AX7などに比べれば格段に低い値ですが、次段は2SK30によるソースフォロアにしま した。これでインピーダンスは約5.1Kから560Ωと、約1/10になるはずです。 ドレイン電流 は約2mAで、データシートを見れば、この時のYfs(gm)は約12~13になります(左図○ 印)。 したがいましてゲインは12×5.1=61.2倍。ロスを考えれば50倍位になりましょうか。 FET回路では、発生する雑音はgm(Yfs)に反比例しますからドレイン電流は多いほど 有利に ...
    www9.wind.ne.jp/fujin/diy/audio/fetpre/fetpre.htm
  4. FETのYパラメータ - 物理学 締切済み| 【OKWAVE】
    物理学 - ソース接地、ドレイン接地、ゲート接地のYパラメータ(Y行列)の導き方を教えて いただきたいです。 i1=Y11v1+Y12v2 i2=Y21v1+Y22v2 ということと、Yパラメー. ... パワーMOS-FETの使い方. マイコンから大電流(最大で2A位)を制御するために今回 初めてパワーMOS-FETを使おうと... その他(学問・教育) · FETのカスコード回路. 現在 2SK30Aを用いたカスコード回路を作製してます。 見にくいですが図載せておきま... 物理学 · FETの逆みたいなのあります? FETのGateに電圧をかけるとドレイン ...
    okwave.jp > OKWAVE > 学問・教育 > 自然科学 > 物理学
  5. II-3-1 BJT ・FET 及びデジタル IC の基礎
    流が流れるので、矢印は外側である。この回路は、エミッタが接. 地されているので、 エミッタ接地回路と呼ばれる。 2-2 FET の動作原理. FET は、電界により、キャリアの 流れるチャネルを制御し、キャ. リアの流れ、即ち電流を制御する素子である。FET が 生まれてから ... VD が大きくなると、VG. はゼロなのでチャネルの右側部分. で空乏層が 広がり、チャネル内の. キャリアが減少し、ID は飽和し始. める。VD がある程度の電圧を 超. えると、ID は飽和し一定となる。 図14 2SK30A の概観と端子. 1. ソース. 2. ゲート. 3. ドレイン.
    nitride.meijo-u.ac.jp/iwaya/ex2/h25/2-3-1.pdf
  6. 2SK30ATM
    各種 DC-AC 高入力インピーダンス増幅回路用. · 高耐圧です。 : VGDS = −50 V. · 高 入力インピーダンスです。 : IGSS = −1 nA (最大) (VGS = −30 V) ... ゲート・ソース間 電圧 VGS (V). |Yfs| – VGS. ドレイン電流 IDSS. (mA). VGS (OFF) – IDSS. ゲート. ・. ソ . ー. ス間し. ゃ断電. 圧. V. GS. (OF. F. ) (V. ) ドレイン・ソース間電圧. VDS. (V). ソース 接地. Ta = 25°C. 0. 0. 3.2. 0.8. 1.6. 2.4. 3.2. 4.0. 0.8. 1.6. 2.4. 0. VGS = -0.2 V. -0.4. -0.6. -0.8. -1.0. -1.2. -1.4. -1.6. ソース接地. VDS = 0 f = 1 kHz. Ta = 25° ...
    www.op316.com/tubes/datalib/image/k30.pdf
  7. オペアンプ+トランジスタ“ちょい足し”回路集(12):外付けFETの“電子 ...
    オペアンプ+トランジスタ“ちょい足し”回路集(12):外付けFETの“電子抵抗素子”で ゲイン制御アンプを実現、AGCにも応用可能 ... 今回は、このJFETをソース接地回路 として、VGSを変化させることでドレイン電流(ID)を調整し、“電子抵抗素子”として機能 させています。 抵抗素子として動作している ... アナログ電子回路技術者に向けた 掲示板サイト「アナログ電子回路コミュニティ」のトピックで、東芝のJFET「2SK30A」の 歪み特性を計測したデータが投稿されているので、図5と図6に紹介します。図5はVGS ...
    ednjapan.com > EDN Japan > アナログ
  8. 電子回路シミュレーション事例集(1) - CDTLab
    4-2 n形JFETのゲート電圧-ドレイン電流特性. 4-3 n形 MOS-FETのドレイン電圧- ドレイン電流特性. 4-4 n形 MOS-FETのゲート電圧-ドレイン電流特性. 4-5 JFET( 2SK30A-Y)のゲート電圧-ドレイン電流特性. 4-6 JFETT(2SK30A-Y)ソース接地交流 増幅回路. 4-7 JFETT(4-7 2SK30A-Y)ソース接地増幅回路の周波数特性. 4-8 JFETT( 2SK30A-Y)のソース接地増幅回路の入力インピーダンス特性. 4-9 JFETT(2SK30A-Y) のソース接地増幅回路の出力インピーダンス特性. 4-10 JFETT(2SK30A-Y)のドレイン 接地交流増幅 ...
    www.cdtlab.jp/Knowhow/.../Simulation_examples1.pdf
  9. (FET を使った) 電子スイッチ/VCR - Index
    (Vds によって変動する)Id はそのままソース側の抵抗に流れる訳で、それによって抵抗 両端子間に電位差が発生します。 つまりは、(GND から見た)ソース電位が変動する訳 で、これはソースフォロアや(ソース抵抗の存在する)ソース接地増幅などと同じです。 脱線ついでに、この回路は形的にはソースフォロアと同じです。 ソースフォロアの場合、 電源(ドレイン側)電圧が高く飽和(定電流)領域を使うため電源電圧の変動を受けつけ なくなる訳で、ピンチオフ電圧に引っ掛かってくるとソースフォロアとしては動作しなくなり ます。
    mrotqch.webcrow.jp/stomp/A_Switch.html
  10. 21世紀時代の真空管 Nutube でヘッドホンアンプを作ってみた! その2 ...
    前回の回路は Nutube をソースフォロアによってサンドイッチしている様な構造となっ ています。 図 前回回路のブロック図. それでですね、前回( (5) 特性とか、Nutube の 疑問など - (b) ひずみ率 20[%] オーバーの波形とは? )を参照してほしいのですが、 Nutube 前段のソースフォロアの前後で .... なぜかと申しますと、FET内部で空乏層と 呼ばれる不導体部分が完全にドレイン電流をシャットアウトするためです。 ..... 次に、 FET2SK30 から 2SK170 へ変更すると、どうなるかをシミュレーションしますと・・・.
    www.maroon.dti.ne.jp/jyaku9/electronic/.../electronic5-2.html
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