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ReRAM で検索した結果 1~10件目 / 約618,000件 - 0.27秒

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  1. 抵抗変化型メモリ - Wikipedia
    ReRAM(英: resistive random access memory)は電圧の印加による電気抵抗の変化 を利用した半導体メモリー。RRAM、抵抗変化型メモリなどとも呼ばれる。なおRRAMは シャープの登録商標である。 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化(電界 誘起巨大抵抗変化、CER効果)を利用しており、. 電圧で書き換えるため(電流が微量で )消費電力が小さい; 比較的単純な構造のためセル面積が約6F2(Fは配線の径で、数 十nm程)と小さく、高密度化(=低コスト化)が可能; 電気抵抗の変化率が数十倍にも ...
    ja.wikipedia.org/wiki/抵抗変化型メモリ
  2. パナソニック、ReRAMの書き換え回数を120万回と10倍以上に伸ばす ...
    2017年5月18日 ... IMW 2017のスポンサー企業一覧。5月15日朝のウエルカムトークから. 2009年から 2017年までの投稿論文数と採択論文数の推移。投稿論文は近年、減少傾向にある。5 月15日朝のウエルカムトークから. 発表論文を分野別に見ていくと、抵抗変化メモリ( ReRAM)が40%ともっとも多い。半導体メモリの研究開発コミュニティでは、ReRAMの 研究が依然として活発であることがうかがえる。ついで件数が多いのはNANDフラッシュ メモリで、18%を占める。 発表論文の分野別比率。抵抗変化メモリ(ReRAM) ...
    pc.watch.impress.co.jp > ... > 市場 > 技術 > パナソニック
  3. 次世代不揮発性メモリ「ReRAM」って何だ?|デジ・ステーション|J ...
    日々進歩するIT技術は、ともすると取り残されてしまいそうな勢いで進化の速度を高め ています。そこでキーマンズネット編集部がお届けするのが「5分でわかる最新 キーワード解説」。このコーナーを読めば、最新IT事情がスラスラ読み解けるようになる ことうけあい。忙しいアナタもサラっと読めてタメになる、そんなコーナーを目指します。 今回のテーマは、DRAMのような高速性をもちながら、フラッシュメモリと同様に通電し なくてもデータが記憶できる次世代メモリ「ReRAM」。このたびメモリセルアレイの試作 ...
    j-net21.smrj.go.jp > ... > デジ・ステーション
  4. ReRAM(Resistive Random Access Memory: 抵抗変化型メモリ ...
    富士通セミコンダクターの電子デバイス製品抵抗変化型メモリReRAMをご紹介する ページです。
    www.fujitsu.com/jp/products/devices/semiconductor/.../reram/
  5. ReRAM量産製品として世界最大容量の4Mビット品の提供を開始 - Fujitsu
    ReRAM量産製品として世界最大容量の4Mビット品の提供を開始. ~ 業界最小クラス の読出し電流をもつメモリにより、ウェアラブルデバイスや補聴器に最適 ~. 富士通 セミコンダクター株式会社は、ReRAMの量産製品としては世界最大容量となる4Mビット ReRAM「MB85AS4MT」の提供を開始しました。本製品は、パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社と共同製品開発した最初のReRAM製品です 。 MB85AS4MTは、1.65Vから3.6Vのワイドレンジの電源で動作するSPI インターフェース ...
    www.fujitsu.com/jp/group/fsl/resources/news/.../1026.html
  6. ReRAMとは - IT用語辞典 Weblio辞書
    ReRAMとは?IT用語辞典。 フルスペル:Resistive RAM, Resistive Random Access Memory読み方:アールイーラム別名:抵抗変化メモリ,抵抗変化型メモリReRAMとは、 半導体メモリの一種で、...
    www.weblio.jp/content/ReRAM
  7. パナソニックとUMCが次世代ReRAMの量産プロセスの共同開発で合意 ...
    2017年2月1日 ... パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社はUMC(聯華電子/United Microelectronics Corporation)とReRAMの次世代(40nm)量産プロセスの共同開発 で合意しました。
    news.panasonic.com/jp/press/data/2017/.../jn170201-2.html
  8. 産総研、100nAで動作するReRAMの挙動を解明 | マイナビニュース
    産業技術総合研究所(産総研)は1月13日、幅広い電流レンジでノイズを計測する手法を 開発し、不揮発性メモリとして研究開発が進められている抵抗変化メモリ(ReRAM)が 100nAの消費電力で動作する際の挙動について明らかにしたと発表した。
    news.mynavi.jp > TOP > ビジネス > テクノロジー > 次世代半導体技術
  9. 消えないメモリ動作の謎を解明 — 大阪大学 - Osaka University
    現在、世界中で高密度の不揮発性メモリ開発をめざした熾烈な競争が繰り広げられて いる。柳田剛准教授は、その最も有望な素子とされながらも制御が困難だった抵抗変化 不揮発性メモリ(ReRAM、メモリスタ)の本質的な動作原理の謎を解明した。これにより 、さらに信頼性の高いデバイス設計が可能となり、極微な超低消費電力型の不揮発性 メモリ素子を活用した省エネ科学技術・グリーンナノテクノロジーへの波及効果が期待 される。
    www.osaka-u.ac.jp/ja/news/...issue/.../201312_special_issue02
  10. 「なぜReRAMの量産一番乗りを果たせたのか」、パナソニックの責任者に ...
    パナソニックは2013年7月30日、ReRAM(抵抗変化型メモリ)を混載したマイコンを、 業界に先駆けて2013年8月から量産すると発表した(関連記事)。ReRAMは、 ストレージ・クラス・メモリ(SCM)やNANDフラッシュ・メモリ代替などをターゲットに、 世界中の半導体メーカーが競って開発を進めている次世代メモリである。その量産化で 、パナソニックが先陣を切ることができた理由は何か。同社 オートモーティブ& インダストリアルシステムズ社でマイコンなどの半導体事業を統括する多那瀬寛氏( ...
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