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MRAMについては、STT-MRAM（スピン注入反転型MRAM）への利用を想定した直径14nmの記憶素子技術を紹介した。「2023 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）」（2023年12月）で発表済みの成果である。
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MRAMについて講演した都甲大氏は、STT-MRAMをSCMの有力候補と位置付けた上で、記憶素子を14nmにまで微細化したのは「DRAMとのコスト競争を意識したため」と説明した。記憶素子の積層構造などを工夫することで、セ氏90度で10年以上のデータ保持時間、5ns（ナノ秒）での高速書き込み、高い熱安定性を両立
