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#202410ne「次世代EUVで半導体レジストに変革期」そこで露光装置のレンズのNA(開口数)を大きくして解像力を高めた次世代EUV露光が #2027y にも量産に導入される見通しだ。この次世代EUV露光の採用が呼び水となり、#2027y 頃から新型フォトレジストの利用が本格化するとレジスト各社はにらんでいる。

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走ざ(案山子のしもべ)@S_orza

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#202410ne「次世代EUVで半導体レジストに変革期」JSRは金属酸化物レジストのパイオニア企業の米Inpriaを #2021y に買収、Snの酸化物をベース材料に使う同社の技術はEUV光を効率よく吸収する。酸に比べて拡散距離の短い電子の散乱で反応が起こるため解像力が高まる。 #2025y#2026y に製品化見込み。

走ざ(案山子のしもべ)@S_orza

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