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世界最高水準の #窒化ガリウム (#GaN) #基板、#エピタキシャル層、#イオン注入層 における #少数キャリア寿命 と #ミッドギャップ再結合中心 濃度を #ルミネッセンス法 により包括的に評価。ルミネッセンス法により高感度にGaN中の欠陥濃度を定量化するフレームワークを実現! doi.org/10.1063/5.0201…
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TIの新しい #パワーマネジメント 製品、放熱特性強化型パッケージ テクノロジを採用した 100V #窒化ガリウム (GaN)パワーステージと1.5W 絶縁型 DC/DC モジュールは、 #電力密度 の向上に貢献します。 edn.itmedia.co.jp/edn/articles/2…