#202409ne「インクジェット回路形成に新機軸」具体的には、インクを射出するピエゾ素子を変形させるための電気信号と、プリントヘッドの動きを制御するサーボモーターへの信号を、パラメータとしてAIに入力する。これらの入力に対して、要求精度を満たした印刷パターンを出力としてAIに学習させた。

#202409ne「インクジェット回路形成に新機軸」エレファンテックは「AIで全体の誤差を吸収させればうまくいくのではないか」と考えた。AIを用いて入力と出力の対応関係を学習させて様々な誤差を吸収できるようにした。

#202409ne「インクジェット回路形成に新機軸」誤差には、インクの射出タイミング、プリントヘッドの動きや印刷基板との相対位置のズレ、ノズルの特性や位置ズレ、消耗状態など複数の要因がある。ハードウェア的な誤差をいちいち潰してからそれらを統合するのは現実的ではない。

#202409ne「インクジェット回路形成に新機軸」一般的なインクジェット印刷機は、500㎜以上の大型印刷にも対応できるが、精度は数十㎛レベルで、要求を満たせなかった。中には10㎛以下の高精度を出せる専用のインクジェット印刷機もあるが、コストが非常に高い上、大型の印刷面積には対応できなかった。

#202409ne「インクジェット回路形成に新機軸」直径20㎛の液滴を直径40㎛の溝や円筒状の穴に100%着弾できる。この着弾精度は世界最高レベルだ。技術名は「NeuralJet」で、#20240528d に発表した。セイコーエプソンと提携しており、印刷機のハードウェアはセイコーエプソン製。

#202409ne「AIで大型化と高精度化を両立 インクジェット回路形成に新機軸 コストと環境負荷の小さいPCB量産体制が本格的に始動」エレファンテック（東京・中央）。フレキシブル基板にインクジェット印刷技術を用いて回路を形成する際、AIを用いて印刷面積の大型化と高精度化を両立する技術を開発した。

#202409ne「ソニーGが画像センサーにガラス基板」厳しい熱サイクルの環境下でセワレが起こるメカニズムも報告した。セワレは低温に向かう時に多く発生した。温度が下がるとガラスコアの上下のビルドアップ層が縮む。すると中のガラスコアに対して上下から引っ張る力が働き、それがセワレを引き起こす。

#202409ne「ソニーGが画像センサーにガラス基板」SSSが今回使用したガラスコア基板もすでに個片化されていたが、厳しい熱サイクルの条件下ではセワレが発生することを今回示した。「多くの人は個片化のための切断時に工夫すればセワレの課題を克服できると思い込んでいる」。そうではなかった。

#202409ne「ソニーGが画像センサーにガラス基板」セワレは一般にガラスコア基板を個片化する際に発生する現象として知られる。ビルドアップ層（配線層）の層数を増やすと発生しやすくなり、ガラスコア基板の実用化の課題の1つとされる。

#202409ne「ソニーGが画像センサーにガラス基板」耐久テストをしてみると、マイナス45℃からプラス100℃を2000サイクル以上、マイナス55℃からプラス125℃の場合は1000サイクル以上でガラスコアが裂けるように割れてしまう「セワレ」と呼ばれる現象が発生した。

#202409ne「ソニーGが画像センサーにガラス基板」SSSが注目したガラスコア基板の利点は、高剛性による反りの小ささ。焦点深度（DOF）よりも基板の反りが大きくなると、写真の四隅にボケが発生する。ボケは遠景写真の「味」になるが、マシンビジョンやAI物体認識などの用途では問題になる。

#202409ne「ソニーGが画像センサーにガラス基板」利点は大きく5つ。①平坦性と高剛性、②熱膨張係数の制御しやすさ、③絶縁性、④光電融合との相性の良さ、⑤パネルサイズでの製造。SSSの発表は、ガラス基板をCMOSイメージセンサーに使うことと、日本の半導体企業が取り組んだ点が新しい。

#202409ne「ソニーGが画像センサーにガラス基板」近年、プリント基板のコア層をガラスにしたガラスコア基板への関心が高まっている。主に半導体チップを固定するパッケージ基板への活用を想定して、米Intelや韓SKグループなどが実用化を目指している。

#202409ne「ソニーGが画像センサーにガラス基板 ゆがみのないマシンビジョン実現 狙いは熱や吸湿による反りの防止、日本メーカーに奮起促す」ソニーセミコンダクタソリューションズ（SSS）が、CMOSイメージセンサーにガラス基板の採用を検討している。狙いはセンサーの高性能化だ。

#202409ne「ロームがSiC事業を加速」ロームは今後、この世代交代を2年に短縮する。第6世代品を #2027y、第7世代品を #2029y にリリースする計画だ。世代交代するたびに、175℃動作時のオン抵抗を3割ずつ削減していくという。

#202409ne「ロームがSiC事業を加速 2年ごとに新世代パワー素子を投入 2029年に第7世代、モジュール品も強化し実装に新材料を投入」ロームは、175℃という高温での動作におけるオン抵抗を3割削減した第5世代品を #2025y に発売する。現行の第4世代のリリースは #2021y。4年で世代交代させる。

#202409ne「出光などが『世界最高性能』常温常圧で水素不要のアンモニア合成」出光興産、東京大学、大阪大学、産総研は #20240704d、常温・常圧環境下でアンモニアを空気中の水素と水と電力から連続的に合成する技術で、競合のアンモニア生成速度を20倍上回る世界最高性能を達成したと発表した。

#202409ne「稼働40年の工場で勝負」旧・三洋電機の半導体工場で、後に米onsemiが買収・売却した新潟工場を拠点に、非先端プロセスでパワー半導体やアナログ半導体を受託生産する。新潟工場は稼働40年。0.35㎛プロセス技術を使う150㎜ラインを持つ。社長はセイコーエプソン取締役を務めた酒井明彦氏。

#202409ne「JSファウンダリ社長『SiCへの参入急ぐ』稼働40年の工場で勝負」Rapidusが生まれた #2022y、全く異なる独立系ファウンドリーが日本で立ち上がった。ファンドのマーキュリーインベストメントやM&A支援の産業創成アドバイザリー（東京・中央）の出資で #202212m に創業したJSファウンダリだ。

#202409ne 日経エレクトロニクス「半導体、『後ろ』が最前線／後工程は液晶パネル製造技術と融合する／量子エラー訂正の技術進化が急加速／パワエレ設計が劇的単純化／衛星間光通信で業界のはるか先に／『リマニが日本産業を破壊する』／ロームがSiC事業を加速／台北でAI半導体『頂上対決』」 #ne