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今週の #エレクトロニクス豆知識 テーマは #SiCパワーデバイス 💡 👌SiC MOSFETの3つのイイとこ 1️⃣SiC MOSFETは高耐圧と低抵抗を両立 2️⃣IGBTからの置き換えの場合、スイッチング損失の大幅削減と冷却器の小型化を実現 3️⃣IGBTでは不可能であった高周波駆動によって受動部品の小型化にも貢献 pic.x.com/asxilkhqus

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実現でき、SiのFRDと比較して損失を大幅に削減できます! ✅#SiCパワーデバイス についてもっと知りたい方はコチラ rohm.co.jp/electronics-ba…

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今週の #エレクトロニクス豆知識 #SiCパワーデバイス についてご紹介💡 ✅SiC SBDのリカバリ特性 SiのFRDは順方向電流が大きいほど、また温度が高いほどリカバリ時間やリカバリ電流は大きくなり、多大な損失となります。 SiC SBDは接合容量放電する程度の小さな電流が流れ、安定した高速リカバリを pic.x.com/ga0qra6thu

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💡#パワー半導体 で注目の素材 #SiC! 今週の #エレクトロニクス豆知識 #SiCパワーデバイス をご紹介💡 ✨ショットキーバリアダイオード(SBD)の特徴✨ Si(シリコン)SBDは、耐圧200V程度までに対して、SiC(シリコンカーバイド)SBDは、耐圧600V以上と高耐圧です! pic.x.com/9klritnuq1

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今週の #エレクトロニクス豆知識 #SiCパワーデバイス の3️⃣つのスゴイ💡 ⚡高耐圧:絶縁破壊電界強度がSiより約10倍高い!600V~数千Vの高耐圧デバイスが造れる ⚡低オン抵抗:Siと比較し、理論上は同じ耐圧であればドリフト層抵抗を1/300低減 ⚡高耐熱:バンドギャップがSiの約3倍広く高温でも動作可能 pic.x.com/f38chuiilj

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