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#TrendForce によると、#Samsung の #P4L 施設は2025年からメモリ容量を拡張するための主要サイトになると報告されており、まず #NAND の生産から始まります。 #DRAM 用の設備取り付けは2025年半ばに始まると予想され、#1c ナノメートルDRAMの量産は2026年に開始される予定です。 x.com/paurooteri/sta…
メニューを開くSamsung 平沢 P4工場に1γ世代のDRAMライン構築へ 来年6月稼働 以下、引用 サムスン電子が平沢4工場(P4)に第6世代DRAM生産ラインを構築する。第6世代DRAMは「1c」と呼ばれる10ナノメートル(nm)前半の次世代DRAMである。 n.news.naver.com/article/030/00…