記事と重なりますが、個人的興味で言えば、以下の3つの論文に興味。 ①3D NANDフラッシュの信頼性を確保しつつ積層ピッチを30nmに縮める純金属ゲート技術 →Samsungが既に「薄層化」技術の導入に積極的が信頼性に不安があります。その不安を払拭して欲しい。 （続く） #NAND @pc_watch

個人的感想ですが、 今度の「iPad pro」は本当に欲しいです。私のような「カモ」が世界中にいたら、 NANDメーカーにとっての「毒林檎」は完全復活ですね。 #Apple #NAND

震災後、DRAMとNANDフラッシュの契約価格が急騰！ ＝＝ どうなのでしょう… 私にはまだ、昨年の「爆下がり」が元に戻ったレベルと認識していますが… #NAND

#論理回路学_回路素子編 5 Q #NAND 演算をわかりやすく例えて A ・二兎を追う者は一兎も得ず ・ #過電流 を防止する #ブレーカー ・ #過積載 キャパオーバーを検知・防止 下記まとめ参照： がんばりすぎな貴方。『NAND回路な生活リズム』を持ちましょう togetter.com/li/1374473

#論理回路学_回路素子編 4 Q ・ #NAND を2つの論理素子の組み合わせで表現！ ・ #NOR を2つの論理素子の組み合わせで表現！ A ・ #AND のあとに #NOT を付けたのがNAND ・ #OR のあとにNOTを付けたのがNOR

18%小型化…キオクシアが組み込み式フラッシュメモリーで新製品 | == Sk HynixとMicronは、取りあえず「層数増加」に注力。 とくにSk Hynixは、FG方式とCT方式の両睨みのころから、真っ先に、CUA(Circuit-Under-Array)技術を導入、最近は、3-Stack導入を発表。 #NAND newswitch.jp/p/41369

「Micron、232層でQLC（4ビット/セル）のNANDフラッシュSSDを量産開始」 #Micron Technologyは、512GBから2TBまでの容量を持つクライエントSSDのサンプル出荷を開始した。 この232層のQLC方式の #NAND フラッシュはアルゴリズムで高密度化と高性能を両立させている。 semiconportal.com/archive/editor…

Samsungが昨日、290層の量産出荷を始めたようなので下記の資料だけ更新しました。 ◆資料タイトル: 3D NAND（多層化の真実）2024年4月24日版 ファイル名: 14_1_3D NAND_中_20240424 保管場所: x.gd/JpHkU なお昨日版との違いを知りたい方は、80頁を参照願います。 #SSD #NAND

今日、やっと資料更新したところなのに… 苦笑。明日、所々、修正しますか…　トホホ しかしSamsumgは、本当に、東京エレクトロンの「チャネルホールエッチング」技術推しですね。 ここまで来ると、お金が無いKioxiaへの「皮肉」にしか聞こえない。 #NAND #SSD news.samsung.com/global/samsung…

Samsung、1Tb TLC第9世代V-NANDの量産を開始、2024年後半にはQLCも | XenoSpectrum #Samsung #NAND #メモリ #半導体 #SSD xenospectrum.com/samsung-to-sta…

#論理回路学_センター試験 5 §４　NAND回路 問４ 任意の組み合わせ論理回路を， #NAND 素子と #NOT ゲートのみで構成される #論理回路 に変換する手順を記せ。 また，なぜこのような変換が必要なのか 理由を説明せよ。

テスト用パーツチェックしてたら メッチャ懐かしいのが出てきたけど、コレ使う時来るのだろうか、、、 （´-`）.｡oO 容量いくつだろ？ #PCパーツ #自作パーツ #懐かしい #nand pic.twitter.com/8rMmVM0PeX

最近その存在を知った、2020年発表の、少し古い論文なのですが、 ◆論文タイトル：Open Block Characterization and Read Voltage Calibration of 3D QLC NAND Flash（3D QLC NANDフラッシュのオープンブロック特性評価と読み出し電圧校正） ◆執筆者: IBM基礎研究所 #NAND ieeexplore.ieee.org/document/91296…

#論理回路学_NAND構成編 12 Q. やっぱり #標準形 のﾁｶﾗってすごくない？ A. すごい。 いかなる #論理関数 も #真理値表 を書き出力が1の項を並べれば #加法標準形 になる。 すなわちANDの #OR接続 になり #AND，#OR，#NOT だけで表現できるので #NAND という1種類の素子だけで作れる。

#論理回路学_NAND構成編 11 Q. 「全ての #論理素子 を #NAND に置き換える」 を考えてますが… そのためには #AND，#OR，#NOT の3つの素子をNANDに書き換える方法 だけ知っていれば十分。 なぜ？ A. 任意の #論理関数 は #加法標準形 で表す事ができ ANDの #OR接続 で表現できるから。

#論理回路学_NAND構成編 10 Q. #NOT ゲート単体を #NAND のみで構成しよう A. NANDゲートの2つの入力に 同じ入力値Aを入力すればよい。 そうすれば，出力値Qについて… Q＝A nand A ＝￢(A and A) ＝￢A #真理値表 は A Q 0 1 1 0 pic.twitter.com/At7zIn9Z0p

#論理回路学_NAND構成編 9 Q. #AND ゲート単体を #NAND と #NOT のみの組み合わせに変換しよう A. ANDの後ろにNOTを出現させれば ANDとNOTをセットにして NANDに置換できる。 そのために， ANDの後ろにある出力を #二重否定 すればよい。 pic.twitter.com/cRbdsJh91O

別メディアが、「Samsungは今年、290層を出すぞ」と報道したのに対して、 TrendForceは、「昨年大損したから、今年は236層主体への移行が中心になりそうだ」と予測。 個人的には、TrandForceの方が正しい気がします。（290層はまあ、クラウド屋さんむけの試作品としての出荷では？） #NAND

#論理回路学_NAND構成編 8 Q. 前ﾂｲの結果を使って #OR ゲート単体を #NAND と #NOT のみの組み合わせに変換しよう A. ORの前にNOTを出現させれば NOTとORをセットにして NANDに置換できる。 そのために ORの前にある各入力を #二重否定 すればよい。 pic.twitter.com/lz69t54jiw

#論理回路学_NAND構成編 7 Q. #ド・モルガンの定理 を使って #NAND ゲートを #OR ゲートに置換しよう A. ド・モルガンの法則は ￢(X・Y)＝￢X＋￢Y 「#AND の #NOT は，NOTのORである」 これを図に表すと 下記のように イコールで結ぶことができる。 pic.twitter.com/YXfscTAj4A

キオクシア、年内の上場目指す　半導体の市況改善が後押し | 毎日新聞 mainichi.jp/articles/20240… #Semiconductors #半導体 #KIOXIA #キオクシア #NAND

#論理回路学_NAND構成編 6 Q #論理回路 を #NAND 素子だけで構成しようとするのはなぜ？ 理由を2つ。 A NANDの組み合わせだけで 全ての論理回路を実現できるから。 またNAND素子は 作るための内部部品(#トランジスタ)の 数が少ないので， コスト削減になり，#故障率 も低くなるから。

#論理回路学_NAND構成編 5 Q. #AND と #NAND #OR と #NOR の 素子内の #トランジスタ 数を比べると？ A. ANDに #NOT を付けてNAND ではなく，その逆で NANDにNOTを付けてAND NORにNOTを付けてOR を実現している。 だから NANDよりもAND NORよりもORのほうが 部品数や作成の手間が多い。

#論理回路学_NAND構成編 4 Q #論理回路 の #回路素子(#AND，#OR，#NOT など)の 素子の中身は #トランジスタ回路。 #トランジスタ を減らしたい場合 どんな #論理素子 を使えば良い？ A #NAND(または #NOR)が 素子内部のトランジスタ数が最小。 内部の部品数が少ないので故障も少ない。

#論理回路学_NAND構成編 1 ここからは #論理回路学･#NAND 構成編 です。 #回路 の入出力から #真理値表 を作り その真理値表を #カルノー図 にして カルノー図上で論理関数を #最適化 して… そうしたら，最後に その論理関数をまた回路に戻す。 その時に要るのがNAND構成である。

ウエスタンデジタル、4TB SDカードをプレビュー == ちなみに昔、私の友人で、「子供の運動会の写真」をSDカードで保存して（丁寧にラベルまで貼って）、 数年後、データ破損が発覚した者がいますが、SDカードを保存用に使うのは止めましょうね。 #SDカード #NAND anandtech.com/show/21349/wes…

2024年はDRAM／NAND市場が回復へ　需給バランスも正常化 == 大体、昨年末あたりからの予測通りですかね。 #NAND

返信先:@paurooteriオンデバイスAI需要で更に逼迫は予想してますが、AI PC・AIスマホ普及前にノートPC上振れ... #HBM #DRAM #NAND $MU

YMTCのQLC NANDの書き換え可能回数（P/E回数）はTLC並み == QLC NANDで4000回だそうです。 CBA（CMOS directly Bonded to Array）アーキテクチャ採用により、CMOS周辺回路が非常に高性能（速度が速く、印加電圧精度が高い）であれば可能性はあります（続くポヨ）。 #NAND tomshardware.com/pc-components/…